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Trabalho de evento-resumo
Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well (2011)
Tabata, A; Basseto Jr, C A Z; Cavalcante, J S; Oliveira, J B B; Silva, E C F da; Gusev, G M; Lamas, T E
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TABATA, A et al. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Tabata, A., Basseto Jr, C. A. Z., Cavalcante, J. S., Oliveira, J. B. B., Silva, E. C. F. da, Gusev, G. M., & Lamas, T. E. (2011). Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
NLM
Tabata A, Basseto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB, Silva ECF da, Gusev GM, Lamas TE. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Vancouver
Tabata A, Basseto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB, Silva ECF da, Gusev GM, Lamas TE. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Artigo de periodico
Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well (2006)
Duarte, Cesário Antonio; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Gusev, G M
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, EFEITO HALL
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ABNT
DUARTE, Cesário Antonio et al. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 488-491, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Gusev, G. M. (2006). Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 488-491. doi:10.1590/s0103-97332006000300068
NLM
Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Gusev GM. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
Vancouver
Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Gusev GM. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
Artigo de periodico
InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications (2006)
Lamas, T E; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LAMAS, T E e QUIVY, A. A. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2006). InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 405-407. doi:10.1590/s0103-97332006000300046
NLM
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Artigo de periodico
Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates (2005)
Martini, S; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Silva, E C F da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MARTINI, S et al. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, v. 72, n. 15, p. 153304/01-153304/04, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Silva, E. C. F. da. (2005). Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, 72( 15), 153304/01-153304/04. doi:10.1103/physrevb.72.153304
NLM
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304
Trabalho de evento-resumo
Optical measurement of miniband dispersion and bandgap renormalization in modulation-doped AlGaAs/GaAs superlattices (2004)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz; Abramof, E; Lamas, T E; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Optical measurement of miniband dispersion and bandgap renormalization in modulation-doped AlGaAs/GaAs superlattices. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0849-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Abramof, E., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2004). Optical measurement of miniband dispersion and bandgap renormalization in modulation-doped AlGaAs/GaAs superlattices. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0849-1.pdf
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Abramof E, Lamas TE, Quivy AA. Optical measurement of miniband dispersion and bandgap renormalization in modulation-doped AlGaAs/GaAs superlattices [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0849-1.pdf
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Abramof E, Lamas TE, Quivy AA. Optical measurement of miniband dispersion and bandgap renormalization in modulation-doped AlGaAs/GaAs superlattices [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0849-1.pdf
Artigo de periodico
Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit (2004)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2004). Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.12.015
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015
Artigo de periodico
Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells (2004)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2004). Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.11.223
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223
Artigo de periodico
Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices (2004)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz; Lamas, T E; Quivy, A. A.; Pires, M P; Souza, P L; Yavich, B; Abramof, E
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Pires, M. P., Souza, P. L., et al. (2004). Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400032
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Pires MP, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Pires MP, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032
Artigo de periodico
InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' (2003)
Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1569053. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, 82( 16), 2646-2648. doi:10.1063/1.1569053
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053
Artigo de periodico
Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)
Sergio, C S; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C
Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO HALL, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SERGIO, C S et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Sergio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal. doi:10.1016/S0026-2692(03)00121-6
NLM
Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6
Vancouver
Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6
Artigo de periodico
Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction (2003)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Lamas, T E; Silva, E C F da; Leite, J. R.; Abramof, E
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1621738. Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, Leite, J. R., & Abramof, E. (2003). Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. doi:10.1063/1.1621738
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738
Trabalho de evento-resumo
Anti-cruzamento das sub-bandas de buracos em poços quânticos de GaAs/AlGaAs sob pressão biaxial (2003)
Gomes, Paulo F; Godoy, M P F; Nakaema, M K K; Ikawa, F; Lamas, T E; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Paulo F et al. Anti-cruzamento das sub-bandas de buracos em poços quânticos de GaAs/AlGaAs sob pressão biaxial. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 27 abr. 2024.
APA
Gomes, P. F., Godoy, M. P. F., Nakaema, M. K. K., Ikawa, F., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Anti-cruzamento das sub-bandas de buracos em poços quânticos de GaAs/AlGaAs sob pressão biaxial. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Ikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Anti-cruzamento das sub-bandas de buracos em poços quânticos de GaAs/AlGaAs sob pressão biaxial. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 27 ]
Vancouver
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Ikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Anti-cruzamento das sub-bandas de buracos em poços quânticos de GaAs/AlGaAs sob pressão biaxial. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 27 ]

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